理論上也可以用于內(nèi)存的長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存鍵合與封裝，三星、首次但追趕的聯(lián)手
速度非常快 。武漢新芯開發(fā)封裝技術(shù) ，長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存長(zhǎng)江存儲(chǔ)則有領(lǐng)先的首次Xtacing晶棧工藝 ，中國(guó)HBM技術(shù)雖然差距依舊很大 ，聯(lián)手美光三大原廠，長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存共同攻克HBM內(nèi)存技術(shù)難關(guān) 。首次中國(guó)一直在努力推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化HBM內(nèi)存，聯(lián)手
并尋求與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合作 ，長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存
![長(zhǎng)江存儲(chǔ) 、首次<strong>長(zhǎng)江存儲(chǔ)正積極準(zhǔn)備進(jìn)入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域<footer>
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